一种栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱...
授权
摘要
本发明公开了一种栅源阻抗动态调节主动均流的SiCMOSFET并联驱动电路，通过测量分流器的压降来间接测量电流；采用差分放大隔离电路实现测量信号的隔离和差分放大；采用电流差值反馈电路进行电流差值处理和信号反馈；采用NPN三极管、电阻、电容构成栅源低阻抗电路，结合反馈信号，实现驱动回路阻抗的动态调节。本发明能够有效地抑制电路中由于器件参数不一致、杂散电感较大等原因导致的SiCMOSFET并联不均流现象，达到主动均流的目的，具有调节性能好、实时性强、成本低等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113315353A
申请号 ：
CN202110701356.8
公开（公告）日 ：
2021-08-27
申请日 ：
2021-06-24
授权号 ：
CN113315353B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张雷秦岭任磊桑顺黄杰杰姚子豪吴典
申请人 ：
南通大学
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区啬园路9号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202110701356.8
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-09-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/088
申请日 : 20210624
申请日 : 20210624
2021-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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