一种基于腔体耦合的微带线-微带线垂直过渡结构及应用

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摘要

本发明公开了一种基于腔体耦合的微带线‑微带线垂直过渡结构及其应用，该结构由上层介质基板、公共接地板和下层介质基板组成，所述上层介质基板和下层介质基板上分别带有微带线，所述微带线的末端分别贴有贴片，贴片的长度为传输波长的四分之一，贴片的宽度大于微带线的宽度，所述公共接地板上带有金属腔体，电磁信号能够通过公共接地板上的金属腔体耦合至上下层微带线。本发明通过添加贴片的方法降低了模型插入损耗，大大提升了传输带宽，可应用于三维高速微波电路中。

基本信息

专利标题：

一种基于腔体耦合的微带线-微带线垂直过渡结构及应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113571859A

申请号：

CN202110834891.0

公开（公告）日：

2021-10-29

申请日：

2021-07-23

授权号：

CN113571859B

授权日：

2022-05-13

发明人：

陈远祥孙尚斌付佳杨雷静林尚静余建国

申请人：

北京邮电大学

申请人地址：

北京市海淀区西土城路10号

代理机构：

北京挺立专利事务所(普通合伙)

代理人：

高福勇

优先权：

CN202110834891.0

主分类号：

H01P5/08

IPC分类号：

H01P5/08 H01P5/107