设计支援方法、设计支援系统以及存储介质
公开
摘要

本发明提供一种能够支援半导体元件的设计的设计支援方法、设计支援系统、程序以及存储介质。在实施方式的设计方法中,向模拟器输入包括与半导体元件相关的多个设计值的设计值组。在设计方法中,获取对应于设计值组的输入而从模拟器输出的特性值组。特性值组包括半导体元件的多个特性值。多个特性值包括表示导通电阻的第1特性值和表示耐压的第2特性值。在设计方法中,根据包括1个以上的数据集合的历史数据计算基于贝叶斯估计的获取函数,所述数据集合是所述设计值组和通过向第1函数输入所述特性值组的一部分而计算出的评分的数据集合。特性值组的一部分包括第1特性值和第2特性值。在设计方法中,基于获取函数生成新的设计值组。

基本信息
专利标题 :
设计支援方法、设计支援系统以及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114595653A
申请号 :
CN202110985646.X
公开(公告)日 :
2022-06-07
申请日 :
2021-08-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
雁木比吕田口安则
申请人 :
株式会社东芝
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 :
张丽
优先权 :
CN202110985646.X
主分类号 :
G06F30/36
IPC分类号 :
G06F30/36  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/36
模拟电路设计
法律状态
2022-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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