竖直晶体管
公开
摘要
一种竖直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区与所述沟道区具有顶部界面，且所述底部源极/漏极区与所述沟道区具有底部界面。所述沟道区是结晶的，且其晶粒具有小于20纳米的平均晶粒度。所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。公开其它实施例及方面。
基本信息
专利标题 ：
竖直晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628519A
申请号 ：
CN202111029910.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-09-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宜芳刘鸿威陆宁A·A·卡恩德卡尔J·B·赫尔S·博尔萨里
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
彭晓文
优先权 ：
CN202111029910.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L29/04 B82Y30/00 B82Y10/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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