一种蓝宝石晶体生长工艺

授权

摘要

本发明提供一种蓝宝石晶体生长工艺，通过在加热阶段功率约20~30kw时进行恒温，排除晶体生长炉内的水汽，减少炉内氧气含量，减少炉内热场氧化，降低杂质的生成，降低浮岛形成概率；通过在加热阶段恒温后通入惰性气体至1.0个大气压以上，更能将通过恒温后未能排除干净的水汽及氧气排除干净；通过在原料融化后降温处理使原料表面重新凝结产生结晶后，再通过升温处理重新融化原料，使浮岛沉入晶体生长炉的底部，提高引晶及晶体质量。本发明所提供的蓝宝石晶体生长工艺适用范围较广，适用于任何尺寸任何方法的蓝宝石晶体的生长，特别是大尺寸的蓝宝石晶体生长。

基本信息

专利标题：

一种蓝宝石晶体生长工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113699585A

申请号：

CN202111030051.5

公开（公告）日：

2021-11-26

申请日：

2021-09-03

授权号：

CN113699585B

授权日：

2022-04-29

发明人：

余剑云吴锋波郑家金王进学

申请人：

福建晶安光电有限公司

申请人地址：

福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202111030051.5

主分类号：

C30B17/00

IPC分类号：

C30B17/00 C30B29/20