阈值电压漂移跟踪系统和方法
公开
摘要
本申请涉及阈值电压漂移跟踪系统和方法。一种系统可包含用以存储逻辑数据的多个存储器单元、用以跟踪自从特定存储器单元的前一存取以来的时间的年龄跟踪电路系统，和用以存取所述存储器单元的控制电路系统。此类存取可包含所述存储器单元的读取操作、到所述存储器单元的写入操作或这两者。所述控制电路系统可至少部分地基于自从所述存储器单元的所述前一存取以来的所跟踪时间确定所述存储器单元的电参数。
基本信息
专利标题 ：
阈值电压漂移跟踪系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114333955A
申请号 ：
CN202111036953.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·吉杜图里
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
彭晓文
优先权 ：
CN202111036953.X
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/08 G11C16/10 G11C16/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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