R-T-B系烧结磁体的制造方法
公开
摘要

本发明提供不需要准备不活性气氛的R-T-B系烧结磁体的制造方法。本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包含:准备R-T-B系烧结磁体用合金的粉末的粉碎工序;使用上述粉末制作粉末成型体的成型工序;裁切上述粉末成型体,分割成多个成型体片的裁切工序;烧结上述多个成型体片中的每一个而制作多个烧结体的烧结工序,上述裁切工序包含:第一处理工序,利用行进的钢丝锯裁切沉入液体中的上述粉末成型体,从而形成第一切面;第二处理工序,利用与行进的上述钢丝锯相同或不同的钢丝锯裁切沉入与上述液体相同或不同的液体中的上述粉末成型体,形成相对于上述第一切面交叉的一个或多个第二切面。

基本信息
专利标题 :
R-T-B系烧结磁体的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284053A
申请号 :
CN202111097501.2
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-09-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
村田刚志
申请人 :
日立金属株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN202111097501.2
主分类号 :
H01F41/02
IPC分类号 :
H01F41/02  H01F1/057  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法;专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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