用于实现密集互连布置结构的拼合
公开
摘要
公开了通过使用由减法金属化实现的拼合来制造金属化层Mx的互连布置结构的方法。示例性方法包括提供金属层和在金属层之上的收集层。该方法然后包括通过如下方式形成用于两组金属线的开口：执行第一光刻工艺以在收集层中提供用于第一组线的第一开口，并且然后执行第二光刻工艺以在收集层中提供用于第二组线的第二开口。该方法还包括执行第三光刻工艺以提供与第一轨道的第一开口中的至少一个和第二轨道的第二开口中的至少一个交叠的另一开口(拼合部开口)，并且最后，将第一开口、第二开口和拼合部开口的图案转移到金属层。
基本信息
专利标题 ：
用于实现密集互连布置结构的拼合
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496983A
申请号 ：
CN202111112667.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·布歇A·C-H·韦
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
邬少俊
优先权 ：
CN202111112667.7
主分类号 ：
H01L23/535
IPC分类号 ：
H01L23/535 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/535
包括内部互连的，例如穿交结构
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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