半导体器件
公开
摘要
本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一导电膜、铁电膜、绝缘层、第一插塞和第二插塞。半导体衬底包括形成在其主表面上的源极区和漏极区。绝缘膜形成在半导体衬底上使得在平面图中绝缘膜位于源极区与漏极区之间。第一导电膜形成在绝缘膜上。铁电膜形成在第一导电膜上。绝缘层覆盖第一导电膜和铁电膜。第一插塞到达第一导电膜。第二插塞到达铁电膜。铁电膜的材料包括铪和氧。在平面图中，铁电膜的尺寸比绝缘膜的尺寸小。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335007A
申请号 ：
CN202111114186.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山口直
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吕世磊
优先权 ：
CN202111114186.X
主分类号 ：
H01L27/11595
IPC分类号 ：
H01L27/11595 H01L27/1159 H01L23/48
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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