多命名空间存储装置及其操作方法、多命名空间电子系统
公开
摘要
提供了多命名空间存储装置及其操作方法、多命名空间电子系统。所述多命名空间存储装置包括：非易失性存储器，包括第一存储器块和与第一存储器块不同的第二存储器块；以及存储器控制器，从主机接收用于请求创建第一命名空间和第二命名空间的命令，并且接收用于命令第一命名空间的物理映射的物理映射命令，第一命名空间包括第一逻辑块编号，第二命名空间包括未包含在第一逻辑块编号中的第二逻辑页编号。存储器控制器响应于物理映射命令，通过将第一逻辑块编号映射到第一存储器块来执行第一映射操作，并且通过将第二逻辑页编号映射到包括在第二存储器块中的第二存储器页来执行第二映射操作。
基本信息
专利标题 ：
多命名空间存储装置及其操作方法、多命名空间电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114490427A
申请号 ：
CN202111141111.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金贤镇
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘林果
优先权 ：
CN202111141111.0
主分类号 ：
G06F12/02
IPC分类号 ：
G06F12/02 G06F12/10 G06F13/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
G06F12/02
寻址或地址分配；地址的重新分配
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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