利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法
公开
摘要
本发明提供一种利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其能够抑制配置于为了晶圆设置区域的温度均匀化设置的保温块的附近的硅晶圆的金属污染。本发明的利用卧式热处理炉（100）的硅晶圆的热处理方法在圆筒形状的炉芯管（12）内配置晶舟（16），此时，(A)在晶舟（16）上配置晶圆组（WF），(B)在晶舟（16）上的炉芯管的中心轴（X）方向上的晶圆组（WF）的两侧，与晶圆组（WF）离开地配置保温块（第1保温块（18A）及第2保温块（18B）），(C)在晶舟（16）上的炉芯管的中心轴（X）方向上的第1保温块（18A）及第2保温块（18B）的两侧配置高清洁度的伪晶圆（20A、20B、20C、20D）。
基本信息
专利标题 ：
利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300379A
申请号 ：
CN202111170674.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桑野嘉宏野口广森下隆博
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张泽洲
优先权 ：
CN202111170674.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/324 H01L21/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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