SPAD像素
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例涉及SPAD像素。一种电子器件包括具有SPAD的第一级、具有用于所述SPAD的猝灭电路的第二级、以及具有用于处理由所述SPAD生成的数据的电路的第三级的堆叠。一种用于制造该器件的方法包括：a)形成第一级；b)通过分子键合在第一级上键合包括半导体层的层的堆叠；以及c)在半导体层中形成第二级的猝灭电路。
基本信息
专利标题 ：
SPAD像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361192A
申请号 ：
CN202111185973.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
F·居亚代S·佩莱格里尼B·雷
申请人 ：
意法半导体(R&D)有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请人地址 ：
英国马洛
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
闫昊
优先权 ：
CN202111185973.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211012
申请日 : 20211012
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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