具有衰减器的波导
公开
摘要
本公开涉及一种具有衰减器的波导。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有衰减器的波导结构及其制造方法。该结构包括：波导结构，其包括半导体材料；衰减器，其位于波导结构下方；气隙结构，其位于波导结构和衰减器下方并与波导结构和衰减器竖直对准；以及浅沟槽隔离结构，其位于波导结构的侧面并与气隙结构合并。
基本信息
专利标题 ：
具有衰减器的波导
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578477A
申请号 ：
CN202111261966.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·D·莱维S·P·阿杜苏米利卞宇生
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林莹莹
优先权 ：
CN202111261966.7
主分类号 ：
G02B6/12
IPC分类号 ：
G02B6/12 H01L31/0232 H01S5/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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