用于减轻非对称长延迟应力的技术
实质审查的生效
摘要
本申请涉及用于减轻非对称长延迟应力的技术。存储器装置可在存取操作循环的第一阶段期间激活存储器单元。所述存储器装置可在所述存取操作循环的所述第一阶段期间将第一状态或第二状态写入到所述存储器单元。所述存储器装置可在所述存取操作循环的所述第一阶段之后的所述存取操作循环的第二阶段期间维持所述第一状态或所述第二状态。所述存储器装置可在所述存取操作循环的所述第二阶段之后的所述存取操作循环的第三阶段期间将所述第二状态写入到所述存储器单元。所述存储器装置可基于将所述第二状态写入到所述存储器单元而在所述存取操作循环的所述第三阶段期间对所述存储器单元预充电。
基本信息
专利标题 ：
用于减轻非对称长延迟应力的技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550766A
申请号 ：
CN202111305106.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·维斯孔蒂
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111305106.9
主分类号 ：
G11C7/12
IPC分类号 ：
G11C7/12 G11C8/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/12
位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/12
申请日 : 20211105
申请日 : 20211105
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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