一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法，包括：确定子阵类型以及相关参数；建立并求解非凸优化问题的非均匀间距子阵优化模型得到最佳阵列激励与阵元位置；根据得到最佳阵列激励、最佳阵元位置以及确定的子阵类型完成波束赋形。本发明通过联合优化阵元位置、子阵结构和子阵激励值，从而得到满足阵元间距约束的子阵级波束赋形阵列，实现非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形。相较于传统子阵级波束赋形方法，本发明在相同子阵个数约束的条件下，能够获得更低的主瓣纹波和副瓣电平，适用于任何波束形式。
基本信息
专利标题 ：
一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114448483A
申请号 ：
CN202111305992.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈波林志鹏雷世文胡皓全包永芳田径徐元朝孙晓瞳高银
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
邹裕蓉
优先权 ：
CN202111305992.5
主分类号 ：
H04B7/06
IPC分类号 ：
H04B7/06
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04B 7/06
申请日 : 20211105
申请日 : 20211105
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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