增强材料结构的处置
实质审查的生效
摘要
一种形成半导体结构的方法包括以下步骤：预清洁衬底的表面；在所述衬底的预清洁后的表面上形成界面层；在所述界面层上沉积高κ介电层；执行等离子体氮化工艺以在所沉积的高κ介电层中插入氮原子；和执行氮化后退火工艺以钝化等离子体氮化后的高κ介电层中的化学键。
基本信息
专利标题 ：
增强材料结构的处置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446767A
申请号 ：
CN202111315614.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史蒂文·C·H·洪
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202111315614.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67 H01L29/51 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211108
申请日 : 20211108
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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