一种有效分析TIW结构的处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种有效分析TIW结构的处理方法。所述有效分析TIW结构的处理方法包括以下步骤：S1优先将样品进行Cross section处理；S2在步骤S1中Cross section处理后的表面涂覆处理溶液进行反应；S3去除步骤S2中反应后的处理溶液；S4对步骤S3处理完全后的样品在SEM机台下分析TIW层厚度。本发明提供的有效分析TIW结构的处理方法具有样品Cross section后表面变的光滑且平整，涂抹KI溶液后会与金发生反应，却不与TIW层发生反应，去除KI与AU的反应溶液后，发现金表面会变的粗糙，而TIW层依旧平整光滑，TIW层较为明显的突出，在SEM机台下区分变得较为明显。
基本信息
专利标题 ：
一种有效分析TIW结构的处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114264260A
申请号 ：
CN202111321123.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余蒙恩权循健
申请人 ：
合肥新汇成微电子股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内
代理机构 ：
合肥辉达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张丽园
优先权 ：
CN202111321123.1
主分类号 ：
G01B15/02
IPC分类号 ：
G01B15/02 G01N23/22 G01N23/2202 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B15/00
以采用波或粒子辐射为特征的计量设备
G01B15/02
用于计量厚度
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01B 15/02
申请日 : 20211109
申请日 : 20211109
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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