本发明公开了一种栅控雪崩快速闭合IGBT，自下而上依次包括：集电极金属、衬底、第一外延层、第二外延层、第三外延层、发射极金属以及栅金属；其中，第三外延层内部设有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区；第一掺杂区起始于第三外延层的上表面并向下延伸至第三外延层的下表面；第二掺杂区起始于第三外延层的左上角并向下右下延伸至第三外延层内部，且与第一掺杂区具有一定间隔；第三掺杂区位于第二掺杂区内，且与第二掺杂区左右两侧具有一定间隔；发射极金属位于部分第二掺杂区和部分第三掺杂区上方；栅金属位于第二掺杂区和第一掺杂区之间的第三外延层上方。在脉冲功率系统中，本发明提供的雪崩闭合IGBT与传统IGBT相比可显著缩短脉冲前沿，提高脉冲源性能。