TEM制样方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种TEM制样方法，包括:FIB下找到目标位置结构；形成第一保护层，使第一保护层穿过目标位置结构中心，且与目标位置结构存在重叠部位；利用FIB找到目标位置结构的中心点；形成定位标记X‑Mark，该X‑Mark位于目标位置结构的中心点与第一保护层图形较短边中心点的连线上；以X‑Mark为基准，刻蚀两条叉形标记：mark1和mark2，X‑Mark穿过mark1和mark2的交点；形成第二保护层；刻蚀样品至第一保护层位置；继续刻蚀样品直至侧视观察到mark1和mark2重合；进行背面减薄直至仰视观察到mark1和mark2重合；完成TEM薄片制备，切断样品。本发明能节约FIB制样时间，为TEM数据准确得到定点位置CD尺寸、各膜层厚度以及角度等信息提供基础。
基本信息
专利标题 ：
TEM制样方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324412A
申请号 ：
CN202111351673.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钱迎谢超杰白涛高金德
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦天雷
优先权 ：
CN202111351673.8
主分类号 ：
G01N23/02
IPC分类号 ：
G01N23/02 G01N23/20008 G01N1/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/02
申请日 : 20211116
申请日 : 20211116
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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