用认证膜认证集成电路的方法及相关结构
实质审查的生效
摘要
本发明涉及用认证膜认证集成电路的方法及相关结构。本公开提供了一种认证集成电路IC结构的方法。该方法可以包括在IC结构内形成第一认证膜AF材料。第一AF材料的组成不同于IC结构内的相邻材料。该方法包括将第一AF材料转化为IC结构内的空隙。此外，该方法包括创建IC结构的认证布局以包括用于认证IC结构的IC结构中空隙的位置。
基本信息
专利标题 ：
用认证膜认证集成电路的方法及相关结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520210A
申请号 ：
CN202111367821.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·杰恩S·K·辛格J·A·康塔洛夫斯基S·P·阿杜苏米利S·T·文特罗内J·J·埃利斯-莫纳甘Y·T·尼古
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111367821.5
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L23/00 G06Q30/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20211118
申请日 : 20211118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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