用于集成电路的电容器结构以及相关方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及用于集成电路的电容器结构以及相关方法。本公开的实施例提供了一种用于集成电路(IC)的电容器。该电容器可以包括位于第一布线层内的第一导体的上表面上的第一竖直电极。电容器介质可以位于第一竖直电极的上表面上。第二竖直电极可以位于电容器电介质的上表面上。第二竖直电极在竖直方向上位于电容器电介质和第二导体之间。层级间电介质(ILD)层与第一竖直电极、电容器电介质和第二竖直电极中的每一者相邻。ILD层在竖直方向上位于第一导体和第二导体之间。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路的电容器结构以及相关方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446930A
申请号 ：
CN202111303270.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许德伟S·K·辛格S-Y·库克R·A·奥格尔
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111303270.6
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20211104
申请日 : 20211104
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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