集成电路中的集成电容器
公开
摘要
本公开涉及集成电路中的集成电容器。本文公开一种SOI IC，所述SOI IC包括集成电容器，所述集成电容器包括金属‑绝缘体‑金属MIM电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器的并联布置：其中所述第二电容器包括所述衬底和具有n型掺杂的多个半导体层中的一个作为板，且包括掩埋氧化物层作为电介质；所述第三电容器包括多晶硅层和具有n型掺杂的多个半导体层中的另外的一个作为板，且包括所述多个半导体层与金属化堆栈之间的绝缘层作为电介质；并且所述第四电容器包括多晶硅插塞和所述多个半导体层中的至少一个作为板，且包括氧化物内衬作为电介质，其中所述氧化物内衬和所述多晶硅插塞形成横向隔离(DTI)结构的一部分。
基本信息
专利标题 ：
集成电路中的集成电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582885A
申请号 ：
CN202111195718.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·N·斯蒂芬诺夫P·K·阿布达
申请人 ：
恩智浦美国有限公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张小稳
优先权 ：
CN202111195718.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L49/02
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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