基于微波相控发射的MPCVD装置及其温度均匀性改进方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了基于微波相控发射的MPCVD装置及其温度均匀性改进方法，所述方法包括：通过微波在一腔体内激发等离子体球，所述微波由第一波源发射，所述腔体内可提供真空环境；获取所述等离子体球的热图像，根据所述等离子体球的热图像，确定目标区域；通过平面聚焦天线阵将第二波源发出的电磁波能量聚焦在目标区域，实现通过聚焦的方式对所述目标区域进行温度补偿。本发明可通过对等离子体球的温度补偿来改善其温度分布均匀性，从而解决制备的金刚石膜厚度不均匀的问题，可实现大面积的金刚石膜沉积。
基本信息
专利标题 ：
基于微波相控发射的MPCVD装置及其温度均匀性改进方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114369814A
申请号 ：
CN202111394796.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张军安朱骅丞胡付生张冠群
申请人 ：
宁波晶钻工业科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路777号
代理机构 ：
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
成婵娟
优先权 ：
CN202111394796.X
主分类号 ：
C23C16/52
IPC分类号 ：
C23C16/52 C23C16/511 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/52
申请日 : 20211123
申请日 : 20211123
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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