一种可加载直流电场偏置的SIW传输线
实质审查的生效
摘要
本发明涉及微波技术,具体涉及一种可加载直流电场偏置的SIW传输线。本发明通过在基片集成波导的基础上改变金属通孔结构为隔直结构,并外加一排倒置相同的隔直结构来减小辐射损耗,并且增大等效电容使其逼近传统SIW传输线传输性能。此隔直结构的电原理图相当于在传统SIW基础上周期加载并联电容,则需在满足尺寸要求的前提下尽量增大电容值,即减小间距和增大电容面积。采用双排结构相比单排结构,一方面减小辐射损耗,另一方面相当于额外增加一个并联电容,进一步增大容值,使整个隔直传输线接近SIW传输线的性能。本发明满足可加载直流偏置电场的功能,但损耗远低于现有的带状线和共面波导结构。
基本信息
专利标题 :
一种可加载直流电场偏置的SIW传输线
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284666A
申请号 :
CN202111400773.5
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-11-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汪晓光林铮赵晓琴
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
闫树平
优先权 :
CN202111400773.5
主分类号 :
H01P3/00
IPC分类号 :
H01P3/00 H01P11/00
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 3/00
申请日 : 20211124
申请日 : 20211124
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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