偏置栅极触点
实质审查的生效
摘要
根据栅极的新位置，偏移或调制在两个晶体管之间的栅极位置可以实现较低功率电路和较高速度电路。在一个实例中，PFET晶体管与NFET晶体管之间的栅极可以朝向PFET晶体管偏移，以实现比栅极位于晶体管之间相等距离的常规电路更高速的电路。在另一实例中，PFET晶体管与NFET晶体管之间的栅极可以朝向NFET晶体管偏移，以实现比栅极位于晶体管之间相等距离的常规电路低的功率电路。
基本信息
专利标题 ：
偏置栅极触点
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424338A
申请号 ：
CN202080065494.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·郭杨海宁袁骏K·雷姆
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080065494.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/092 H01L27/118 H01L21/8238 H03K19/0185 H02M7/515
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20200831
申请日 : 20200831
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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