一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法及装置，属于量子测控技术领域。本发明的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，选取晶体管在低温环境下进行测量，在测试数据的基础上建立电子器件的低温模型。该发明的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法能够满足低温电路仿真需求，节约研发时间和成本，具有很好的推广应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114266356A
申请号 ：
CN202111438950.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
关盈
申请人 ：
浪潮集团有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区浪潮路1036号
代理机构 ：
济南信达专利事务所有限公司
代理人 ：
姜鹏
优先权 ：
CN202111438950.9
主分类号 ：
G06N10/20
IPC分类号 ：
G06N10/20
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06N 10/20
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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