一种efuse单元、efuse单元的应用电路及efuse...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种efuse单元、efuse单元的应用电路及efuse阵列，efuse单元结构包括一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管；其中，所述熔丝的一端为所述efuse单元结构的VL端口，另一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接；所述二极管的P极为所述efuse单元结构的BL端口；所述NMOS读选择管的栅极为所述efuse单元结构的WLR端口；所述NMOS读选择管的漏极为所述efuse单元的SAref端口。本发明对常规efuse单元进行改进，利用二极管替代传统的NMOS编程控制管，实现了缩小efuse整体面积的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种efuse单元、efuse单元的应用电路及efuse阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360617A
申请号 ：
CN202111441919.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黎旺晏颖
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111441919.0
主分类号 ：
G11C17/16
IPC分类号 ：
G11C17/16 G11C17/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/14
通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM
G11C17/16
应用电可熔链路的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 17/16
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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