温度控制方法和设备、计算机存储介质以及单晶炉
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种温度控制方法和设备、计算机存储介质以及单晶炉,涉及单晶制造技术领域,用于在加料至调温环节实现智能化的调温,且减少人力资源的投入,降低拉晶成本。所述温度控制方法包括:响应于加料完成信号,根据预设参数,确定第一加热时长;在第一加热时长内,控制主加热器按照第一预设功率对坩埚进行加热,控制底加热器按照第二预设功率对坩埚进行加热;在第一加热时长后,控制主加热器按照第三预设功率对坩埚进行加热,控制底加热器按照第四预设功率对坩埚进行加热,并开启熔料监测装置;当熔料的图像信息表征所述熔料为全熔状态时,控制主加热器的加热功率不变,降低底加热器的加热功率。

基本信息
专利标题 :
温度控制方法和设备、计算机存储介质以及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114411243A
申请号 :
CN202111452271.7
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李维军魏铭琪杨东赵静楠盛燕吴苗苗郭力王斐
申请人 :
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市(国家级)经济技术开发区开元东路15号
代理机构 :
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 :
王胜利
优先权 :
CN202111452271.7
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211201
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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