一种基于MOS压降的新型电流采样方法
实质审查的生效
摘要
一种基于MOS压降的新型电流采样方法，包括以下步骤：利用热仿真推算不同使用条件下，温度采样点和MOS管结温之间的关系表，运行中根据实测或工作实际的损耗、电流、温度条件获取MOS管结温，基于MOS管结温获取导通电阻Rdson，采样获取对应的桥臂电压并与导通电阻计算获得电流。基于对MOS管结温与采样设备采集的MOS管工作环境温度的不同以及不同损耗、电流对MOS管结温带来的不同影响的考虑相较于直接使用温度采样器的温度采样结果来作为MOS管内阻计算基础来说更加符合电流的真实值，消除了大量的误差，对后续的计算处理控制工作提供了很好的基础数值保障。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MOS压降的新型电流采样方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114384303A
申请号 ：
CN202111456952.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王川李飞姚欣
申请人 ：
河南嘉晨智能控制股份有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市自贸试验区郑州片区(经开)经北六路99号
代理机构 ：
郑州大豫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
靳鹏超
优先权 ：
CN202111456952.0
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 G01R19/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 19/00
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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