消除半导体压降和漏电流装置
专利权的视为放弃
摘要
本实用新型消除半导体压降和漏电流装置由接触器和半导体组合;与半导体开关电路连接,使半导体开关输出端接通电路后消除压降,关断电路后输出端消除漏电流,并且绝缘电阻值及试验电压值与同等容量的纯粹机械式接触器——继电器一样;尤其200A以上大电流,电寿命和操作频率比电磁接触器开关提高50倍以上,机械噪声小,功耗低;节约有色金属,提高生产效率。
基本信息
专利标题 :
消除半导体压降和漏电流装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN91200849.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1991-01-14
授权号 :
CN2092833U
授权日 :
1992-01-08
发明人 :
于兴根
申请人 :
于兴根
申请人地址 :
201800上海市嘉定县塔城路360弄7号302室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN91200849.0
主分类号 :
H03K17/00
IPC分类号 :
H03K17/00 H03K17/06
法律状态
1993-05-12 :
专利权的视为放弃
1992-01-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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