氮化铜基印刷电极及其制造方法
公开
摘要

本发明公开了一种氮化铜基印刷电极,包括:25‑75%的致密铜、20‑70%的氮化铜以及5‑10%的辅助材料,其中,所述致密铜被配置为占电极横截面截面积的30%‑80%。通过上述方案得到的氮化铜基印刷电极具有可印刷、导电率高、性能稳定、成本低、方便大规模制造等特点,可用于高性能集成芯片制造。本发明还公开一种氮化铜基印刷电极制造方法。

基本信息
专利标题 :
氮化铜基印刷电极及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114300175A
申请号 :
CN202111472035.1
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邢孟江杨晓东代传相邢孟道刘永红
申请人 :
电子科技大学长三角研究院(湖州)
申请人地址 :
浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B2幢8层
代理机构 :
北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王婷婷
优先权 :
CN202111472035.1
主分类号 :
H01B1/06
IPC分类号 :
H01B1/06  H01B13/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体;用作导体的材料选择
H01B1/06
主要由其他非金属物质组成的
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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