电阻性接口材料
公开
摘要
本申请涉及电阻性接口材料。存储器装置可以是使用包含通过以下项形成材料的堆叠的步骤的序列制造的：沉积第一金属层、在所述金属层上沉积第一电极层、在所述第一电极层上沉积存储器材料以形成一或多个存储器单元、在所述存储器材料上沉积第二电极层，以及在所述第二电极层上沉积第二金属层。具有相对高的电阻率的一个薄层(或多个薄层)可包含在材料的堆叠中以减少或消除在存取操作期间可原本跨越存储器单元出现的电流尖峰。
基本信息
专利标题 ：
电阻性接口材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628577A
申请号 ：
CN202111490530.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·戈蒂D·W·柯林斯F·佩里兹
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111490530.5
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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