一种抗漂移的双气敏膜气体传感器
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种抗漂移的双气敏膜气体传感器,属于气敏传感器技术领域,包括基底、加热电极及多个气敏单元,所述加热电极及多个所述气敏单元间隔设置在所述基底上,所述气敏单元包括构成至少两个插齿电极的至少三个测量电极和至少两个气敏膜,所述至少三个测量电极间隔设置在所述基底上,至少两个所述气敏膜分别由纯金属氧化物和与改性材料制作而成,至少两个所述气敏膜分别覆盖在所述至少两个插齿电极上。与现有技术相比,本发明提供的抗漂移的双气敏膜气体传感器,结构简单,适用性较好,提高了气体传感器的敏感性和稳定性。

基本信息
专利标题 :
一种抗漂移的双气敏膜气体传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114384124A
申请号 :
CN202111494409.X
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
熊友辉张顺平刘志强何涛
申请人 :
四方光电股份有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区凤凰产业园凤凰园三路3号
代理机构 :
武汉知产时代知识产权代理有限公司
代理人 :
郝明琴
优先权 :
CN202111494409.X
主分类号 :
G01N27/12
IPC分类号 :
G01N27/12  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻,依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/12
申请日 : 20211208
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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