一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺
公开
摘要
本发明涉及手机外壳镀膜技术领域，且公开了一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺，将手机外壳放入镀膜室内，通过转架对手机外壳固定，设定转架转速为10‑12Hz，抽真空并对加热，设置加热温度为150‑250℃，本底真空镀压强设定为1.0*10(‑2)Pa。该手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺使用时，通过设置向镀膜室通入氩气并保持压强在2.0‑6.5Pa，Ar流量设定为100‑350，时间设定为3‑70M，通过偏压电源产生的四组圆柱靶靶电流对手机壳表面进行CrSi/CrSiC膜层镀膜，能够有效降低摩擦系数、增强了镀层的使用性能、稳定性高，避免了传统的镀层存在摩擦系数偏高(摩擦系数均大于0.6)而降低镀层使用性能的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293143A
申请号 ：
CN202111508115.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾建国
申请人 ：
昆山英利悦电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市山淞路297号8号楼2楼
代理机构 ：
上海合进知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王寿刚
优先权 ：
CN202111508115.8
主分类号 ：
C23C14/02
IPC分类号 ：
C23C14/02 C23C14/06 C23C14/16 C23C14/34 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/02
待镀材料的预处理
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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