一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法
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摘要

本发明提供一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法,所述双真空舱室晶圆质子辐照装置包括:晶圆辐照真空舱和换片真空舱,所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通;所述连接真空段外设有屏蔽墙;所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅,所述换片真空舱设置于辐照前厅,所述屏蔽墙把所述辐照厅和辐照前厅密封隔离开。所述辐照装置非常适合于高能质子辐照,有利于大幅减轻工作人员所受到的射线伤害,可以实现晶圆的均匀化辐照,提高辐照质量,容量大,提高生产效率,保证了晶圆托盘平稳传输,有效到位,不会对大气造成活化,有助于从两个方面提高辐照精度能够实现高性能IGBT芯片的生产和软度因子大于2的快软恢复快软恢复二极管的制造。

基本信息
专利标题 :
一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113903490A
申请号 :
CN202111509361.5
公开(公告)日 :
2022-01-07
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
CN113903490B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
吕银龙葛涛王婉琳张俊新冯雨石玉博郭如勇孙玺
申请人 :
国核铀业发展有限责任公司;北京核力同创科技有限公司;无锡市核力创芯科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区清华东路35号北林学研中心C栋1层107房间
代理机构 :
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张迎新
优先权 :
CN202111509361.5
主分类号 :
G21K5/00
IPC分类号 :
G21K5/00  H01L21/263  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理;核工程
G21K
未列入其他类目的粒子或电离辐射的处理技术;照射装置;γ射线或X射线显微镜
G21K5/00
照射装置
法律状态
2022-05-10 :
授权
2022-01-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G21K 5/00
申请日 : 20211210
2022-01-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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