基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率...
授权
摘要
本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736135A
申请号 ：
CN202110028079.9
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2021-01-11
授权号 ：
CN112736135B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
许晟瑞许文强贠博祥张金风彭利萍张雅超周弘张进成郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202110028079.9
主分类号 ：
H01L29/20
IPC分类号 ：
H01L29/20 H01L29/778 H01L21/335 H01L21/02 H01L23/373
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/20
申请日 : 20210111
申请日 : 20210111
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
