一种SRAM构造方法、器件、存储介质及智能设备
公开
摘要
本发明实施例公开了一种SRAM构造方法，包括传输管构造步骤、阻性连接切断步骤和金属互连步骤；通过在构造工艺中引入阻性连接切断步骤，可将多晶硅导致的电阻进行去除，使电路的对称性改善，避免了多晶硅串联电阻引起的读电流不匹配。
基本信息
专利标题 ：
一种SRAM构造方法、器件、存储介质及智能设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300011A
申请号 ：
CN202111519774.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭新周晓君
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111519774.1
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C5/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
