一种HKMG器件金属栅的构造方法及SRAM器件
公开
摘要
本发明实施例公开了一种HKMG（High k Metal Gate）金属栅的构造方法及相关的SRAM器件；相关方法能有效阻挡HKMG金属栅中金属的扩散，改善SRAM的PPU管阈值电压Vt的中心与边缘差异和PPU的全局工艺偏差GV（Global Variation）；通过回刻等工艺，降低阻挡层金属薄膜对NMOS器件的影响；进而改善了HKMG SRAM器件的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种HKMG器件金属栅的构造方法及SRAM器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300454A
申请号 ：
CN202111519836.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘哲郡徐莹
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111519836.9
主分类号 ：
H01L27/11
IPC分类号 ：
H01L27/11
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/11
静态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
