一种基于高Q值差分耦合技术的功率放大器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于高Q值差分耦合技术的功率放大器，属于射频集成电路技术领域，包括输入差分耦合供电网络、自偏置正向放大网络、自偏置负向放大网络、供电网络以及输出高Q值差分耦合网络，本发明基于新型自偏置NMOS级联PMOS放大器结构，可以避免使用芯片上集成的低Q值的电感作为供电choke，规避相关插损；同时结合差分放大器设计技术抑制高频寄生分量，提高电路高频特性；以及采用了输出高Q值差分耦合技术直接进行高效率的功率合成，引入插损较低，从而提升放大器的增益、效率和线性度指标。
基本信息
专利标题 ：
一种基于高Q值差分耦合技术的功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362685A
申请号 ：
CN202111524699.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邬海峰王测天童伟叶珍刘莹廖学介滑育楠黄敏
申请人 ：
成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园
代理机构 ：
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨浩林
优先权 ：
CN202111524699.8
主分类号 ：
H03F1/32
IPC分类号 ：
H03F1/32 H03F1/56 H03F3/193 H03F3/21 H03F3/45
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/32
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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