一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法，主要利用聚碳硅烷为前驱体，经交联固化，高温裂解，造粒，采用高真空热压烧结技术，实现碳化硅晶粒之间的紧密堆积，获得高致密度的多晶块体陶瓷。采用本发明方法制备得到的碳化硅陶瓷，体积密度接近理论密度，气孔率接近零。
基本信息
专利标题 ：
一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114349516A
申请号 ：
CN202111540375.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘雯林兆昀李丽杰王海龙张锐王一光
申请人 ：
郑州大学
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
李蜜
优先权 ：
CN202111540375.3
主分类号 ：
C04B35/571
IPC分类号 ：
C04B35/571 C04B35/622 C04B35/645
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
C04B35/565
以碳化硅为基料的
C04B35/569
精细陶瓷
C04B35/571
用聚合物产物母体获得的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/571
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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