一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘
公开
摘要
本申请实施例公开了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。所述方法包括：在对Nand闪存中出错页进行重读时，记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围；获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围；根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围，确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围；利用每个偏移方向的目标范围，对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。
基本信息
专利标题 ：
一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114296645A
申请号 ：
CN202111555463.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张明张志张自达车振来李国超陈长春章雷
申请人 ：
合肥大唐存储科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新产业园二期J2栋C座7层
代理机构 ：
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张建秀
优先权 ：
CN202111555463.0
主分类号 ：
G06F3/06
IPC分类号 ：
G06F3/06 G11C16/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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