一种闪存重读方法和装置
实质审查的生效
摘要

本申请实施例公开了一种闪存重读方法和装置,该方法包括:循环执行以下步骤,直至闪存数据或本次读电压满足预设条件:获取以本次读电压重读闪存时读到的闪存数据的特征信息;其中初始获得的本次读电压为从预设的重试表中获取的任意读电压;根据特征信息利用预设的模糊控制算法计算出下一个可获取的新的读电压相比于本次读电压的偏移方向和偏移步长;根据偏移方向和偏移步长得到新的读电压在重试表中的序号;以序号为索引在重试表中获得新的读电压;将新的读电压作为本次读电压读取闪存上的数据。通过该实施例方案,减少了闪存重读次数。

基本信息
专利标题 :
一种闪存重读方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114333951A
申请号 :
CN202111651211.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
袁伟
申请人 :
合肥大唐存储科技有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区创新产业园二期J2栋C座7层
代理机构 :
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 :
吴晓霞
优先权 :
CN202111651211.8
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26  G11C16/34  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/26
申请日 : 20211230
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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