本发明公开了一种flash掉电数据存储方法，方法包括：在MCU芯片片内flash设置一掉电存储区；将掉电存储区划分为多份相等地址空间大小的掉电存储区块；循环将数据写入到掉电存储区块并更新前一个掉电存储区块的标志；其中，掉电存储区地址空间大小至少为16K；还包括对未写入的掉电存储区块标记的步骤：在掉电存储区块写入数据时将第一地址空间写入第二标志，在写入完成时将第二标志更新为第一标志，并将上一掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志；还公开了一种flash掉电数据存储装置。通过在MCU的芯片内部flash设置掉电存储区，节约了硬件成本，提高了读写效率，保证了掉电数据的完整性。