一种动态预测NAND Block寿命末期性能的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种动态预测NAND Block寿命末期性能的方法，本方法实时采集在各个影响因素下Block信息并对该信息分析进行动态预测该Block寿命末期的性能是否符合设计需求以及动态计算寿命末期所需电压值，使用者可以根据该方法的结果采取相应措施减少NAND Flash寿命末期出现大量读错误或者其他纠错措施带来的巨大损耗。基于该方法，可以在低资源消耗、充分利用数据下实现动态预测Block寿命末期的性能，提前识别性能较差的Block，减少出现操作错误的概率。
基本信息
专利标题 ：
一种动态预测NAND Block寿命末期性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114283875A
申请号 ：
CN202111586445.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹成
申请人 ：
山东华芯半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室
代理机构 ：
济南泉城专利商标事务所
代理人 ：
赵玉凤
优先权 ：
CN202111586445.9
主分类号 ：
G11C29/56
IPC分类号 ：
G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如：用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备；所用接口
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/56
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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