一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路，属于开关电源领域。通过实时检测开关节点SW的电压变化情况，产生控制信号，对高侧或低侧输入控制信号进行延迟，即在开关节点SW下降沿处，通过对低侧输入控制信号进行延迟，在开关节点SW上升沿处，通过对高侧输入控制信号进行延迟，从而产生死区时间，实现死区优化；解决了传统固定死区时间设置过长带来的较大的反向导通损耗问题，提高转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337233A
申请号 ：
CN202111592688.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
常红黄少卿于文涛顾明席晓丽耿镐武嘉瑜肖培磊宣志斌罗永波
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111592688.3
主分类号 ：
H02M1/38
IPC分类号 ：
H02M1/38 H02M1/08 H02M1/32
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/38
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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