本发明公开一种超声换能器阵列及其制备方法，其中的超声换能器阵列自下而上依次包括：半导体衬底、第一绝缘层、孤立的岛形半导体层、第二绝缘层和金属图案化层，金属图案化层包括图案化上电极、第一焊盘和第二焊盘；相邻的岛形半导体层由隔离槽分隔，每个岛形半导体层上表面形成有多个凹槽群，所有岛形半导体层上的凹槽群按行列排布；每个凹槽群中的多个凹槽按行列排布；第二绝缘层覆盖隔离槽和凹槽，以在岛形半导体层中形成密封空腔；图案化上电极与凹槽一一对应；每个岛形半导体层相同位置的凹槽群形成凹槽群组，凹槽群组中所有的图案化上电极按行列通过连线连接在一起，并与位于第二绝缘层边缘的第二焊盘电连接；第一焊盘穿过第二绝缘层与岛形半导体层边缘欧姆接触。