低功耗CMOS超宽温度范围瞬态增强型LDO电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低功耗CMOS超宽温度范围瞬态增强型LDO电路,包含:恒压源,恒压源的输入端与第一信号输入端相连;第一运算放大器,第一运算放大器的反向输入端与恒压源的输出端相连,第一运算放大器与第一信号输入端相连;镜像电路,镜像电路与第二信号输入端、电源端、第一运算放大器相连;补偿电路,补偿电路与镜像电路、电源端相连相连;超级源极跟随器电路,超级源极跟随器电路与补偿电路、电源端相连;运放尾电流电路,运放尾电流电路与超级源极跟随器电路、电源端、信号输出端相连。本发明通过插入超级源级跟随器可将大的寄生电容和较高的输出阻抗隔离,扩展了LDO的环路频宽;增加了运放的摆率,提高了LDO的瞬态性能。
基本信息
专利标题 :
低功耗CMOS超宽温度范围瞬态增强型LDO电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114356016A
申请号 :
CN202111619211.X
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
何孝起
申请人 :
上海兴赛电子科技有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区虹梅南路1755号1幢1层
代理机构 :
上海洞见未来专利代理有限公司
代理人 :
苗绘
优先权 :
CN202111619211.X
主分类号 :
G05F1/567
IPC分类号 :
G05F1/567
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统,即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/565
除对系统输出偏差敏感的装置外,还检测系统一个工况或它的负载的,例如还检测电流、电压、功率因数
G05F1/567
用于温度补偿的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 1/567
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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