一种超高纯DD419单晶高温合金母合金真空感应熔炼工艺
公开
摘要
本发明属于合金熔炼技术领域，具体涉及一种超高纯DD419单晶高温合金母合金真空感应熔炼工艺，其通过分步加料、一次精炼、二次精炼和三次精炼后制备得到超高纯DD419单晶高温合金母合金。本发明通过高温一次精炼，可大幅度脱O和脱N；采用分步加Al，可深度脱O；通过合理控制金属Re尺寸和三次精炼工艺，母合金中Re成分均匀、无偏析；采用脱硫工艺，脱硫剂与合金熔体内部反应脱S；采用两种不同规格陶瓷过滤网过滤，可最大限度降低熔体中O、N、S和夹杂物含量。采用本发明的加料方式和真空感应熔炼工艺，可实现超高纯DD419单晶高温合金母合金熔炼制备，制备的母合金中O含量低于4ppm，N含量低于2ppm，S含量低于4ppm，夹杂物含量控制到0.5级。
基本信息
专利标题 ：
一种超高纯DD419单晶高温合金母合金真空感应熔炼工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293261A
申请号 ：
CN202111627204.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董鸿志王博李华兵浦益龙李淑苹徐进涛李铭
申请人 ：
江苏隆达超合金航材有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区安镇街道翔云路18号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202111627204.4
主分类号 ：
C30B29/52
IPC分类号 ：
C30B29/52 C22C19/05 C22C1/02 C22C1/06 B22D43/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/52
合金
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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