碳化硅基底的膜厚质量评估方法
实质审查的生效
摘要
碳化硅基底的膜厚质量评估方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1∶选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行膜层生长；S2∶选择若干个测量角和波长范围，使用光谱椭偏仪测量相位变化和振幅衰减，根据评价函数MSE公式，得出MSE最小值；S3∶选定测量的若干位置，根据所述MSE最小值对应的测量角和波长范围，得出若干位置的膜厚di和评价函数MSEi；S4∶基于所述评价函数MSEi，得到权重系数Wi；S5∶根据公式计算并得到膜厚均值和膜厚均匀性。本发明通过评价函数和权重系数，计算得到膜厚均值和膜厚均匀性，精确、客观地反映了碳化硅基底上膜厚质量。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅基底的膜厚质量评估方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114493139A
申请号 ：
CN202111627483.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钟浩盛况任娜王珩宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111627483.4
主分类号 ：
G06Q10/06
IPC分类号 ：
G06Q10/06 G06F17/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06Q
专门适用于行政、商业、金融、管理、监督或预测目的的数据处理系统或方法；其他类目不包含的专门适用于行政、商业、金融、管理、监督或预测目的的处理系统或方法
G06Q10/00
行政；管理
G06Q10/06
资源、工作流、人员或项目管理，例如组织、规划、调度或分配时间、人员或机器资源；企业规划；组织模型
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06Q 10/06
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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