一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法,通过振动硅片,使预先沉积在硅片上的导磁性膜析出导磁性金属粒子,通过向三个漆包线绕线组产生三个磁场,使导磁性金属粒子沿磁场的磁力线排布,并在持续振动作用下沿硅片表面磁力线指向与硅片表面发生撞击,使团聚在导磁性金属粒子周围的腐蚀液中的酸随导磁性金属粒子撞击硅片表面,与硅片反应;在振动与磁场结合作用下,导磁性金属粒子不断重复与硅片表面撞击,并不断回到磁力线位置进行排布,逐渐完成硅片表面的微纳米结构制备。本发明通过改变三个漆包线绕线组通入电流的频率、相位和幅值,能获得不同磁场分布,使导磁性金属粒子能带动腐蚀液中的酸在硅片上刻蚀出不同的预设图案。

基本信息
专利标题 :
一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114314504A
申请号 :
CN202111632799.2
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
巢炎李彬黄伟业
申请人 :
杭州电子科技大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 :
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 :
周雷雷
优先权 :
CN202111632799.2
主分类号 :
B82B3/00
IPC分类号 :
B82B3/00  B82Y40/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构;其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20211229
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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